买卖IC网 >> 产品目录 >> SI3435DV-T1-E3 MOSFET 12V 4.8A 2W datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI3435DV-T1-E3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 12V 4.8A 2W
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 12V 4.8A 2W
SI3435DV-T1-E3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 12 V
闸/源击穿电压 +/- 8 V
漏极连续电流 4.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.073 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TSOP-6
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI3435DV-T1-E3
SI3435DV-T1-GE3
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Si3438DV
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深圳市腾宇创科电子有限公司 13410391243 陈志凡
  • SI3435DV-T1-E3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,750 0.566 990.5
    3,000 0.47 1410
    6,000 0.438 2628
    12,000 0.422 5064